功率半导体技术作为微电子器件领域的重要分支，在绿色能源、航天、交通运输和电力传输等方面有着广泛的应用。随着宽禁带功率半导体的技术演进，越来越多的半导体器件具有高压或高频甚至高结温运行特点，如今的IGBT/Mosfet器件/模块正面临着越来越多的热管理挑战。
对于功率半导体而言，做好热管理才能保证运行稳定和可靠性。热界面材料通常用于填充固体界面间的气体空隙，减小界面接触热阻，因而在功率器件热管理中发挥着重要作用。
更高的设备集成需求、更高的功率密度及严苛的运营环境对界面材料的性能提出了不同方面的要求。鑫澈拥有具备更高的导热系数、低硅油挥发或无硅油、满足更高结温的热界面材料包括导热垫片、导热凝胶、绝缘垫片、相变材料及导热硅脂等。例如：
Tpcm™ 7000相变材料采用无硅配方，导热系数为 7.5 W/mK，专门用于解决电子产品中最具挑战性的导热冷却效能。适合IGBT、内存模块、服务器等应用。
导热绝缘片（Tgard500/5000/K52）具有优异的抗电压击穿性能，用于电源、新能源汽车和工业自动化行业。
苏州鑫澈电子在功率半导体器件散热及电磁屏蔽方案中有众多经验案例，在项目初期设计时可协助客户评估整体方案的可行性；项目开发阶段协助客户提供整套散热方案制定及整套散热方案对应材料需求。具体散热方案和材料详情，请咨询：0512-69388958。
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